什么是电子陷阱

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通常在半导体物理中所提到的陷阱,指的是禁带中的一些缺陷。

相对于复合中心而言,陷阱对电子或者空穴的俘获截面差别较大,从而能俘获电子或者空穴,称为电子陷阱或者空穴陷阱。而复合中心是对电子和空穴的俘获截面差不多,能同时俘获电子和空穴,使电子和空穴发生复合后,重新保持电中性。而陷阱只能靠去陷获释放电子和空穴。通常都是禁带中的深能级缺陷。目前关于其本质的特性可能还了解的不是很清楚,

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