问光刻胶正胶和反胶的区别

在于它们的化学性质不同。正胶是一种能够在紫外线照射下发生聚合反应的溶液，其分子结构中带有不饱和的双键，因此在照射后会发生紫外线引发的聚合反应，形成一层固体的聚合物膜。反胶则是一种可被强酸或强酸性气体（如氯化氢等）分解的化合物，因此在曝光后未被照射到的部分会被酸性剂分解，形成可被去除的胶体图案，而未被分解的部分则形成相应的聚合物膜。需要注意的是，正胶和反胶的使用场合、工艺流程等也存在不同，需要根据具体情况进行选择。

光刻胶正胶和反胶是在光刻工艺中使用的两种不同类型的光刻胶。

正胶是一种具有较高的曝光灵敏度的胶料，当它被曝光后，曝光区域的分子结构会发生变化，使其在显影过程中易于被去除。

相反，反胶的曝光灵敏度较低，曝光区域的分子结构不会发生变化，显影过程中只有未曝光区域的胶层容易被去除。

因此，正胶通常用于制作微细结构和高分辨率的芯片，而反胶则更适用于制作较大、较粗的结构和模板。

区别：

正胶：正胶是一种透明的树脂，在紫外线的照射下能够发生光聚合反应，但是和氧化剂作用的时候不容易发生氧化反应，因此没有感光性，可以用于铝泊纸上的涂层，也可以用于正性光刻胶。

反胶：反胶又被称为负胶，是一种不透明的树脂，在紫外线的照射下容易发生光聚合反应，但是和氧化剂作用的时候容易发生氧化反应，因此有感光性。

正胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面，它一般适合做长条形状，

反胶的未感光部分溶于显影液中，而感光部分显影后仍然留在基片表面，它一般适合做窗口结构，如接触孔、焊盘等。